ETF收评 | 三大指数集体收涨，半导体设备续创新高，科创半导体ETF华夏（588170）上涨8.71%、半导体设备ETF华夏（562590）上涨7.35%

截至6月17日收盘，A股主要指数集体收涨。上证指数上涨0.40%，深证成指上涨1.31%，创业板指上涨1.56%，科创50指数上涨4.69%。市场早盘低开后震荡回升，主要指数相继翻红，科技成长方向表现突出，其中科创50指数涨幅显著。板块方面，电子化学品板块走强，国家大基金持股概念表现活跃；下跌方面，影视院线板块走弱，赛马概念回调。

ETF 方面，科创半导体ETF华夏(588170)上涨8.71%，最新价报3.07元；半导体设备ETF华夏（562590）上涨7.35%，最新报价3.17元。

规模方面，科创半导体ETF华夏近1周规模增长11.38亿元，实现显著增长；半导体设备ETF华夏最新规模达41.27亿元。流动性方面，科创半导体ETF华夏盘中换手28.43%，成交32.65亿元，市场交投活跃；半导体设备ETF华夏盘中换手12.76%，成交5.38亿元，市场交投活跃。

盘面上，今日科创半导体ETF华夏（588170）、半导体设备ETF华夏（562590）早盘低开后迅速翻红，随后持续走强，盘中涨幅不断扩大，最终分别收涨8.71%、7.35%，盘中二级市场价格均创历史新高。从技术面看，两只ETF均站上5日、10日及20日均线，并突破前期阶段高点，均线维持多头排列，短线趋势进一步走强。MACD方面，前期形成的金叉延续，今日红柱继续放大，显示上行动能有所增强；RSI仍处于较高位置，需留意高位分化及回调风险。整体来看，板块今日呈现量价齐升态势，但单日涨幅较大，短线获利盘有所积累，后续仍需关注高位震荡及板块内部分化。

华泰公司表示，存储端预计2026 年传统DRAM ASP 同比提升有望达280%，但HBM ASP 同比增幅有限，当前存储原厂HBM OPM 仍低于传统DRAM。由于AI 芯片需求快速攀升，且随着模型参数规模扩大、KVCache 急剧增加，AI 芯片需要配置更大的HBM 容量。预计2027 年HBM 将持续处于供需短缺的状态，推动HBM 价格大幅上涨，2027 年原厂HBM 盈利能力将向传统DRAM 靠拢。此外，载板、先进封测及代工成本均面临不同程度的上涨，预计AI 芯片成本中枢将显著上移，构成AI 芯片提价的成本端基础。

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