长鑫科技：拟使用超募资金180亿元投建技术研发及存储器后道测试项目

同壁财经讯，长鑫科技发布最新公告称，公司拟使用超募资金130.00亿元投资新建技术研发项目，同时通过向全资子公司长鑫存储产品（合肥）有限公司增资和借款方式，提供超募资金50.00亿元，由其投建存储器晶圆后道测试基地二期项目，合计使用超募资金180.00亿元。

技术研发项目总投资241.00亿元，建设周期30个月，主要用于技术研发，推动工艺迭代与产品升级。后道测试基地二期项目总投资108.00亿元，建设周期37个月，计划在合肥建设测试工厂，为DRAM存储芯片提供测试及模组组装。两项投资旨在加速技术迭代、保障后道测试产能并完善IDM模式。该事项已获董事会审议通过，尚需提交股东会审议，不构成关联交易，亦不构成重大资产重组。

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