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2004年创立至今，中微公司（688012.SH）用了20多年时间，在半导体微观加工设备的“无人区”走出了一条路。
这一切的背后，离不开其灵魂人物--现年82岁的董事长兼总经理尹志尧。
01
近乎“偏执”的原创坚守
尹志尧，生于1944年，中科大本科、加州大学洛杉矶分校博士。
在创立中微之前，他已在硅谷刻蚀设备圈浸淫二十余年，先后在英特尔担任工艺工程师、泛林半导体更是从研发部资深工程师干到资深经理。
1991年-2004年，尹就职于应用材料，历任等离子体刻蚀设备产品总部首席技术官、总公司副总裁及等离子体刻蚀事业群总经理、亚洲总部首席技术官，手握86项美国专利、200余项国际专利，被业内称为“硅谷最有成就的华人之一”。
这为其之后回国创业打下了坚实的基础。
2004年，年届六旬的尹志尧没有留在硅谷安享晚年，而是带着一批海归技术骨干在上海创立中微公司，锚定当时国人极少触碰的高端赛道--等离子体刻蚀设备。
面对当时国内半导体设备几乎完全空白的窘境，他立下了一个近乎“偏执”的规矩：绝不抄袭和复制国外的标配设备。
在刻蚀这个全球仅三五家巨头能玩的领域，中微选了最难的一条路--原创架构、差异化指标、自有知识产权。
因为尹深知，在半导体设备这个被欧美日巨头高度垄断的赛道，只有掌握底层原创技术，才能真正实现国产替代。
02
从“单点突破”到“平台化”
这种毅然决然走“自主创新”道路的偏执，最终转化为令国际同行敬畏的硬核实力。
2004年，中微公司大胆突破当时国际主流技术，首创了“甚高频去耦合反应离子刻蚀技术”。这项技术打破了传统射频能量互相干扰的难题，实现了离子浓度和离子能量的独立控制，被业界验证为“最佳解决方案”。
仅3年后，国际三大半导体设备巨头便相继沿用了这一技术路线。现如今，全球CCP刻蚀机基本都走这条路线。
基于这一底层架构的持续迭代，中微的刻蚀设备已覆盖95%以上的刻蚀应用。其中，ICP双台机Primo Twin-Star®的反应台之间刻蚀速度控制精度，达到了惊人的每分钟0.2埃（即20皮米）。这约等于硅原子直径的十分之一，是人类头发丝平均直径的350万到500万分之一。
凭借这种原子级的加工精度，中微的刻蚀设备不仅在国内主要客户产线市占率稳步提升，更打入了全球先进的3纳米及以下集成电路加工制造生产线。截至2026年6月底，公司累计已有超过8800个反应台在国内外220余条生产线实现量产。
尹志尧很清楚，只做刻蚀，天花板有限。半导体设备公司若没有薄膜沉积能力，永远只是“零件商”。
于是，中微近十年把第二战场铺在LPCVD、ALD、EPI、PECVD、PVD上。
以PECVD为例，中微将刻蚀领域的“去耦合”技术跨界应用，独创了16个反应腔的集成设计。这一设计直接打破了传统设备的产能瓶颈，其输出量较国内外标配大幅提升80%-100%。
在晶圆厂极度看重产能和占地面积的今天，中微的这款设备实现了真正的“一台顶两台多”，用极致的性价比和效率，硬生生撕开了海外巨头的防线。
2025年，以LPCVD为代表的薄膜设备销售迎来爆发式增长，同比大增224.23%至5.06亿元。
03
极致研发兑现狂飙
这种跨越是建立在极其激进且高效的研发投入之上。
2025年，中微研发投入高达37.44亿元，占营收比例达30.23%；2026年上半年，研发投入进一步增至20.42亿元，占比高达30.52%，远超科创板上市公司10%-15%的平均水平。
高投入换来了研发速度的质变，过去开发一款新设备需要3到5年，如今只需两年甚至更短时间。目前，公司在研项目涵盖六大类、超二十款新设备。
强大的技术壁垒，最终转化为了商业回报。
2021年-2025年，它的营收由31.08亿元持续增至123.85亿元，CAGR达41.28%；更能反映公司主营情况的扣非净利润由3.24亿元一路增至15.5亿元，CAGR高达47.84%。
增长还在持续。
中微预计26H1实现营收约66.91亿元，同比增长约34.89%；归母净利润为27亿元-29亿元，同比增加282.48%-310.81%；扣非净利润10亿元-12亿元，同比增加85.61%-122.73%。
从单一刻蚀到全品类平台化，82岁的尹志尧用20年坚守，让中微从“跟跑者”蜕变为全球半导体设备舞台的“规则制定者”。