再度突破！苏大维格子公司最新掩模缺陷检测设备通过商用验收

近日，苏大维格（300331.SZ）子公司维普半导体称，公司新一代STORM5000掩模缺陷检测设备顺利通过国内某头部客户商用验收，同时下一台STORM5000设备目前已完成出厂前测试，将于本月底前交付国内另一关键客户。

维普半导体是国内极少数在半导体光掩模缺陷检测设备领域已实现规模化量产的企业，其技术、产品和核心算法系正向自研开发，拥有自主知识产权，主要核心零部件实现了国产化和自主可控。其产品已进入国内头部晶圆厂和国内外头部掩膜版厂商的量产线，用于替代美国KLA及日本Lasertec产品。

STORM5000是维普半导体推出的第4代掩模图形缺陷检测设备，基于STORM3000的技术积累及成功经验，经过近3年的迭代研发，STORM5000在光学成像、算法、算力等方面进一步提升，可满足更高制程的Mask制造。支持PSM、Binary掩模检测，适配ArF与KrF对应的技术节点，产品关键指标达预期，具备相关进口设备的替代能力。

ArF光源制程是指使用氟化氩(ArF)准分子激光作为曝光光源的光刻技术，ArF光刻机通过193纳米激光束照射光刻胶，使其发生化学反应形成电路图案。干式ArF光刻机在干燥环境下工作，可支持65纳米至130纳米技术节点(如逻辑芯片后段金布线层)。浸没式ArF光刻技术则在投影透镜与硅片之间注入超纯水，利用水的折射率将有效波长缩短至134纳米，显著提升分辨率，覆盖从45纳米到7纳米的制程范围。多重曝光等技术进一步扩展了其应用边界，使浸没式ArF成为12英寸晶圆厂服役时间最长的“功勋设备”。

业内人士表示，ArF制程主要集中在半导体制造的光刻环节，ArF制程的应用直接支撑了国内先进制程芯片的研发与生产。尽管当前国产光刻机主要覆盖成熟制程，但ArF光刻胶的技术突破已使国内晶圆厂具备14纳米及以下节点的制造能力‌。这一进展对汽车芯片、消费电子等领域具有现实意义，例如2021年日本企业对华ArF光刻胶断供曾导致国内14纳米晶圆厂产能停摆，凸显了自主化的重要性。

掩膜版缺陷检测设备2023年全球市场规模约为18.1亿美元，预计2030年将达到30亿美元。该领域过去主要由美、日垄断，国产率不足3%。本次常州维普半导体推出的第4代掩模图形缺陷检测设备STORM5000的验收通过代表了我国在半导体掩模图形缺陷检测设备的国产化上迈出重要且坚实的一步。‌‌

另外，据维普半导体公众号显示，公司产品已交付上海中芯国际、迪思微、中微掩模、路维光电、路芯半导体、清溢光电、龙图光罩、睿晶半导体等国内客户，且实现连续复购，并且已进入科盛德(上海)、美日丰创（厦门）等国际一线客户。

此前，A股上市公司苏大维格以5.1亿元关联交易收购常州维普半导体设备有限公司51%股权。交易完成后，常州维普将成为苏大维格控股子公司，纳入合并报表范围。

苏大维格作为国内微纳光学领域的龙头企业，其核心业务已覆盖高端激光直写光刻机和纳米压印光刻机的研发与制造，而半导体光掩模制造设备、先进封装检测设备等业务，正成为其未来发展的核心战略方向。

收购维普半导体后，双方可以发挥各自在激光直写光刻和掩模缺陷检测领域的优势，一方面，苏大维格可借助常州维普半导体的客户资源及量产经验，加快推进激光直写光刻机在半导体光掩模制造和先进封装领域的量产应用；另一方面，也极大程度上助力常州维普半导体在先进制程光学系统方面实现更加高效的研发。产业整合符合国家产业政策和通过并购做大做强上市的目标。